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Portador de wafer cerâmico de carburo de silício oco em forma de diamante com alta condutividade térmica e resistência a altas temperaturas a 1400 °C para aplicações em semicondutores

Detalhes do produto

Lugar de origem: CN

Marca: Dayoo

Termos de pagamento e envio

Quantidade de ordem mínima: Personalizado

Preço: CNY

Detalhes da embalagem: Pacote

Tempo de entrega: 60 dias úteis

Habilidade da fonte: Fábrica

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Detalhes do produto

Descrição do produto

Destacar:

Alta condutividade térmica:	Sim	Resistência ao choque térmico:	Bom
Temperatura máxima:	1380 ℃	Força de flexão:	Mpa 280
Pureza:	98%	Resistência à Compressão:	> 2GPa

Alta condutividade térmica:	Sim
Resistência ao choque térmico:	Bom
Temperatura máxima:	1380 ℃
Força de flexão:	Mpa 280
Pureza:	98%
Resistência à Compressão:	> 2GPa

Portador de wafer cerâmico de carburo de silício oco em forma de diamante com alta condutividade térmica e resistência a altas temperaturas a 1400 °C para aplicações em semicondutores

Carregador de Wafer Cerâmico de Carbide de Silício em forma de diamante.

Introdução ao produto

Este produto é umCarregador de wafer cerâmico de carburo de silício oco em forma de diamanteA peça é fabricada a partir de matéria-prima cerâmica de carburo de silício (SiC) de alta pureza, com um contorno de diamante com uma estrutura oca radial anular de várias camadas no centro.Fabricados por sinterização a alta temperatura e usinagem de precisão sob pressão atmosféricaA estrutura oca reduz eficazmente o peso próprio e melhora a circulação de gás.Serve como componente cerâmico portador de carga para equipamentos de processo de alta temperatura.

Aplicações

Amplamente utilizado no tratamento térmico de wafers de semicondutores, sinterização de wafers de silício fotovoltaicos, recozimento de componentes ópticos, fornos de vácuo de alta temperatura e outros equipamentos.Funciona como portador de wafer., defletor de fluxo de ar e fixação de alta temperatura, suportando peças de trabalho, assegurando simultaneamente o fluxo de ar uniforme e a distribuição da temperatura no interior dos fornos.

Principais vantagens

Excelente resistência a altas temperaturas: Temperatura de trabalho contínua até 1400°C, dimensão estável a altas temperaturas.
Conductividade térmica equilibrada e grande estabilidade térmica: Alta condutividade térmica e superior resistência a choques térmicos, resistente a rachaduras em ciclos repetidos de aquecimento e arrefecimento.
Alta pureza e livre de contaminação: Baixa precipitação de impurezas, evitando a contaminação das wafers e dos componentes de precisão.
Estrutura oca leve: Reduz o peso e otimiza a circulação do ar para aquecimento e arrefecimento mais rápidos.

Parâmetros da especificação

Formato

Ponto	Parâmetro
Materiais	Cerâmica de carburo de silício sinterizado (SiC) sem pressão
Densidade	≥ 3,10 g/cm3
Força de dobra	≥ 350 MPa
Temperatura de funcionamento contínua	≤ 1400°C
Tolerância dimensional	± 0,02 mm
Porosidade	< 0,5%

Processo de produção

Raw Material Mixing & Granulation → Irregular Shape Dry Press Forming → High-temperature Sintering → Surface Precision Grinding → CNC Hollow Milling → Surface Polishing → Ultrasonic Cleaning → Full Dimensional Inspection → Vacuum Packaging

Instruções de utilização

Cozinhar completamente o suporte antes da primeira utilização para remover as impurezas adsorvidas.
Manusear com cuidado ao colocar as peças de trabalho para evitar impactos nas bordas e cantos.
Controle a taxa de aquecimento e arrefecimento para minimizar o choque térmico grave.
Limpe regularmente os sedimentos dentro das fendas ocas para manter o fluxo de ar suave.

Serviço pós-venda

Personalização de padrões ocos e dimensões globais com base em desenhos ou amostras, serviço de teste de protótipos disponível.Todos os produtos são submetidos a uma inspecção completa antes da entrega, acompanhados de relatórios de inspecção. solução pós-venda para defeitos de qualidade não artificiais. apoio técnico profissional para a selecção de condições de trabalho de alta temperatura.

Perguntas frequentes

Q: Quais são as vantagens do portador de SiC em comparação com o portador de alumina cerâmica?

R: O carburo de silício tem melhor desempenho em resistência a altas temperaturas, condutividade térmica e resistência a choques térmicos,que é mais adequado para processos de tratamento térmico com altas temperaturas sustentadas e ciclos térmicos frequentes.

P: O padrão oco e a dimensão exterior podem ser modificados?

R: Sim, o perfil externo, a disposição oca e a espessura da chapa podem ser ajustados de acordo com o tamanho da peça.

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