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Diamond-Shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier with High Thermal Conductivity and 1400℃ High-temperature Resistance for Semiconductor Applications

Detalhes do produto

Lugar de origem: CN

Marca: Dayoo

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Quantidade de ordem mínima: Personalizado

Preço: CNY

Detalhes da embalagem: Pacote

Tempo de entrega: 60 dias úteis

Habilidade da fonte: Fábrica

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Descrição do produto

Destacar:

Alta condutividade térmica:	Sim	Resistência ao choque térmico:	Bom
Temperatura máxima:	1380 ℃	Força de flexão:	Mpa 280
Pureza:	98%	Resistência à Compressão:	> 2GPa

Alta condutividade térmica:	Sim
Resistência ao choque térmico:	Bom
Temperatura máxima:	1380 ℃
Força de flexão:	Mpa 280
Pureza:	98%
Resistência à Compressão:	> 2GPa

Diamond-Shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier with High Thermal Conductivity and 1400℃ High-temperature Resistance for Semiconductor Applications

Diamond-shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier | Precision Hollow SiC Ceramic Support Plate Product Introduction This product is a Diamond-shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier, manufactured from high-purity silicon carbide (SiC) ceramic raw materials. It features an overall diamond outline with multi-layer annular radial hollow structure in the center. Fabricated via atmospheric pressure high-temperature sintering and precision machining, it boasts

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