Detalhes do produto
Lugar de origem: Feito na china
Marca: Dayoo
Termos de pagamento e envio
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negociável
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: Negociável
Forma: |
Garrafa |
Durabilidade: |
Duradouro |
Resistência à temperatura: |
Até 1600°C |
Resistência química: |
Alta resistência a ácidos, álcalis e outras substâncias corrosivas |
Resistência ao choque térmico: |
Muito bem. |
Isolamento elétrico: |
alto |
Precisão: |
alto |
Resistência à pressão: |
Alto |
Cor: |
Branco |
Resistência à corrosão: |
Excelente. |
Dureza: |
Muito elevado |
Tamanho: |
Vários tamanhos disponíveis |
Materiais: |
Cerâmica |
Resistência à abrasão: |
Excelente |
Resistência ao desgaste: |
Excelente. |
Forma: |
Garrafa |
Durabilidade: |
Duradouro |
Resistência à temperatura: |
Até 1600°C |
Resistência química: |
Alta resistência a ácidos, álcalis e outras substâncias corrosivas |
Resistência ao choque térmico: |
Muito bem. |
Isolamento elétrico: |
alto |
Precisão: |
alto |
Resistência à pressão: |
Alto |
Cor: |
Branco |
Resistência à corrosão: |
Excelente. |
Dureza: |
Muito elevado |
Tamanho: |
Vários tamanhos disponíveis |
Materiais: |
Cerâmica |
Resistência à abrasão: |
Excelente |
Resistência ao desgaste: |
Excelente. |
Bicos de Cerâmica de Resistência a Altas Temperaturas para Temperaturas de Processo de 1200°C na Indústria de LED
Especialmente desenvolvido para processos de fabricação de LED, este produto é fabricado usando nitreto de silício de alta pureza (Si₃N₄) a 99,8% através de sinterização por pressão de gás de precisão. Apresentando ultra-alta limpeza, resistência a altas temperaturas e resistência à corrosão para atender aos rigorosos requisitos de equipamentos MOCVD.
Equipamentos MOCVD: Distribuição precisa da fonte MO e gás NH₃
Crescimento epitaxial: Injeção uniforme de gás em câmaras de reação
Fabricação de chips: Sistemas de fornecimento de gás de proteção
Processo de embalagem: Atomização por spray de fósforo
Equipamentos de teste: Controle de gás para inspeção óptica
✓ Ultra-alta limpeza: Conteúdo de íons metálicos <1ppm
✓ Resistência a altas temperaturas: Suporta temperaturas de processo de 1200°C
✓ Zero contaminação por gás: Sem emissão de partículas
✓ Controle preciso do fluxo: Precisão do fluxo de ±1%
✓ Vida útil prolongada: Suporta mais de 5000 ciclos térmicos
| Parâmetro | Especificação | Padrão de Teste |
|---|---|---|
| Pureza do Material | Si₃N₄≥99,8% | GDMS |
| Emissão de Partículas | ≤5 partículas/ft³(≥0,1μm) | SEMI F24 |
| Rugosidade da Superfície | Ra≤0,05μm | ISO 4287 |
| Deformação Térmica | ≤0,01mm@1000℃ | ASTM E228 |
| Tolerância do Furo | ±0,005mm | VDI/VDE 2617 |
| Adsorção de Gás | ≤0,01% | DIN 1343 |
Preparação do material:
Pó nano (D50≤0,3μm)
Moagem de bolas sem poeira (sala limpa Classe 10)
Formação e sinterização:
Prensagem isostática (200MPa)
Sinterização ultralimpa (ambiente Classe 100)
Pós-processamento:
Limpeza por plasma (descontaminação da superfície)
Limpeza ultrassônica com água DI
Embalagem:
Embalagem a vácuo duplo
Sacos limpos Classe 4 ISO
⚠️ Instalação: Operação em sala limpa Classe 100 necessária
⚠️ Controle de gás: Use gases de alta pureza a 99,999%
⚠️ Gerenciamento de temperatura: Taxa de aquecimento ≤5℃/min
⚠️ Manutenção: Teste de vazamento de hélio a cada 500 horas
Garantia estendida: 18 meses
Teste de limpeza: Teste de emissão de partículas gratuito
Resposta rápida: Suporte técnico em 12 horas
Otimização do processo: Simulação do campo de fluxo de gás
P: Como garantir a pureza do fornecimento da fonte MO?
R: Tripla proteção:
① Passivação da superfície Si
② Embalagem limpa Classe 100
③ Limpeza por plasma antes da instalação
P: Lidando com o entupimento do bico?
R: Recomendado:
• Limpeza ultrassônica de 200W + água DI
• Sem limpeza mecânica com haste
• Serviço de limpeza profissional disponível
P: Compatibilidade com diferentes camadas epitaxiais?
R: Opções personalizáveis:
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Estruturas de matriz de vários orifícios
Projetos de tamanho de furo gradual
Configurações de ângulo especial