Detalhes do produto
Lugar de origem: Fabricado na China, Zhejiang, Jinhua
Marca: Dayoo
Certificação: GB/T 19001-2016/ISO 9001:2015
Número do modelo: depende do produto real
Termos de pagamento e envio
Quantidade de ordem mínima: conforme negociado e acordado
Preço: As Negotiated and Agreed
Detalhes da embalagem: Caixa, caixa de madeira
Tempo de entrega: depende do produto real
Termos de pagamento: FOB
Habilidade da fonte: fábrica
Temperatura operacional máxima: |
1700 ° C. |
Resistência à Flexão: |
350 MPa |
Perda dielétrica: |
0,0002 |
Método: |
PREDEÇÃO LSOSTÁTICA |
Tolerância dimensional: |
± 0,001 mm |
Usinabilidade: |
Difícil |
Resistência Mecânica: |
Alto |
Resistência à tracção: |
200 MPa |
Tipo: |
Peças de cerâmica de alumina |
Tamanho: |
Personalizado |
Constante dielétrica: |
9,8 |
Acabamento de superfície: |
Polido |
Coeficiente de expansão térmica: |
8,5 x 10^-6 /k |
Material: |
99,5% de alumina em pó |
Material: |
Pó da alumina de 95% |
Material: |
≥95% de pó de alumina |
Temperatura operacional máxima: |
1700 ° C. |
Resistência à Flexão: |
350 MPa |
Perda dielétrica: |
0,0002 |
Método: |
PREDEÇÃO LSOSTÁTICA |
Tolerância dimensional: |
± 0,001 mm |
Usinabilidade: |
Difícil |
Resistência Mecânica: |
Alto |
Resistência à tracção: |
200 MPa |
Tipo: |
Peças de cerâmica de alumina |
Tamanho: |
Personalizado |
Constante dielétrica: |
9,8 |
Acabamento de superfície: |
Polido |
Coeficiente de expansão térmica: |
8,5 x 10^-6 /k |
Material: |
99,5% de alumina em pó |
Material: |
Pó da alumina de 95% |
Material: |
≥95% de pó de alumina |
Performance de isolamento Base cerâmica de alumínio para equipamento de medição de precisão e inspecção industrial
Estas bases de suporte cerâmico de alumina são fabricadas usando 99,6% de material de alta pureza Al2O3, projetado especificamente para equipamentos de medição de semicondutores, ópticos e de precisão.de potência não superior a 50 W.01mm/m e um coeficiente de expansão térmica de 7,2×10−6/°C, os produtos mantêm uma estabilidade dimensional excepcional em temperaturas extremas (-60°C~1500°C) e ambientes de vácuo (≤10−8Pa).
Equipamento de semicondutores: Etapas de wafer litográfico, bases de câmara de reactor de gravação
Óptica de precisão: Plataformas de referência de interferômetro a laser, suportes para espelhos de telescópios espaciais
Instrumentos analíticos: Etapes de amostragem por microscópio eletrónico, suportes de fontes de iões do espectrómetro de massa
Inspecção industrial: bases de máquinas CMM, tocadiscos de ensaio de redondeza
Nova Energia: Suportes de pilhas de combustível, suportes de equipamento de revestimento fotovoltaico
| Características | Especificação técnica | Valor de aplicação |
|---|---|---|
| Estabilidade térmica | ΔL/L<0,001%/°C | Elimina erros de deriva térmica |
| Compatibilidade com o vácuo | Taxa de descarga < 10−11 Pa·m3/s | Mantém o vácuo ultra-alto |
| Força mecânica | Resistência à flexão> 400 MPa | Suporta componentes de precisão sem deformação |
| Desempenho do isolamento | Resistência de volume> 1016Ω·cm | Elimina interferências por fugas elétricas |
| Parâmetro | Tipo padrão. | Tipo de alta precisão |
|---|---|---|
| Pureza material | 990,6% Al2O3 | 990,9% Al2O3 |
| Planosidade | ≤ 0,02 mm/m | ≤ 0,005 mm/m |
| Superfície rugosa | Ra0,1 μm | Ra0,025 μm |
| Coeficiente de expansão térmica | 7.5×10−6/°C | 7.2×10−6/°C |
| Taxa de vazamento de vácuo | < 10−10mbar·L/s | < 10−11mbar·L/s |
Processamento de pó: pó de alta pureza de 0,1 μm com granulação por pulverização
Processo de formação: Prensagem isostática (300 MPa) combinada com usinagem verde CNC
Tecnologia de sinterização: Sinterização por gradiente a 1700°C em atmosfera de hidrogénio
Mecânica de precisão:
Máquinas e aparelhos para a produção de alumínio
Poluição magnetorreológica (precisão de superfície λ/20@632,8 nm)
Processamento em Sala Limpa: Montagem concluída na sala limpa da classe 100
Inspecção completaInterferômetro laser + inspecção dimensional completa CMM
Requisitos de instalação:
✓ Utilize uma chave de torque (valor recomendado 1,5 ± 0,2 N·m)
✓ Utilize ferramentas específicas para salas limpas
✓ Preajuste recomendado de correspondência térmica (gradiente de temperatura < 2°C/min)
Limitações ambientais:
Evite o contacto com ácido fluorídrico
Evitar choques térmicos > 200°C/min
Não adequado para ambientes de oxidação contínua > 1600°C
Apoio técnico: Análise de esforço gratuita da FEA
Resposta rápidaServiço acelerado de 72 horas
Gestão da rastreabilidade: Registros de produção completos de 10 anos
Apoio à certificação: Documentos de certificação SEMI/FDA/ISO fornecidos
P: Como garantir a correspondência térmica com componentes de carburo de silício?
A: Disponível o projeto de transição do gradiente CTE (ajustável 7,2-4,5×10−6/°C)
P: Dimensões máximas processáveis?
A: Limite técnico actual 500×500×100 mm (requer ferramentas especiais)
P: A modificação do condutor é suportada?
A: Versões antistáticas personalizáveis com resistência superficial 104-1010Ω
P: Como é garantida a limpeza a nível da bolacha?
A: Esterilização final com VHP (peróxido de hidrogénio vaporizado)
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