Detalhes do produto
Lugar de origem: Feito na china
Marca: Dayoo
Termos de pagamento e envio
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negociável
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: Negociável
Pureza: |
96%, 99% |
Materiais: |
92% de alumina em pó |
Tamanho: |
Personalizado |
Acabamento superficial: |
Polido |
Forma: |
Personalizável |
Propriedades: |
isolamento elétrico |
Tipo: |
Bola de cerâmica |
Aplicativo: |
Cerâmica industrial |
Coeficiente de expansão térmica: |
8 x 10^-6 /K |
Resistência à tracção: |
250 MPa |
Temperatura de operação máxima: |
1800 ° C. |
Conteúdo de alumina: |
92% e 95% |
Força de flexão: |
350 MPa |
Temperatura máxima de uso: |
1.400 ° C. |
Water Absorption: |
0 |
Pureza: |
96%, 99% |
Materiais: |
92% de alumina em pó |
Tamanho: |
Personalizado |
Acabamento superficial: |
Polido |
Forma: |
Personalizável |
Propriedades: |
isolamento elétrico |
Tipo: |
Bola de cerâmica |
Aplicativo: |
Cerâmica industrial |
Coeficiente de expansão térmica: |
8 x 10^-6 /K |
Resistência à tracção: |
250 MPa |
Temperatura de operação máxima: |
1800 ° C. |
Conteúdo de alumina: |
92% e 95% |
Força de flexão: |
350 MPa |
Temperatura máxima de uso: |
1.400 ° C. |
Water Absorption: |
0 |
Cerâmica de alumina de alta pureza com resistividade volumétrica de 10⁴ Ohm*cm para aplicações em semicondutores
Esta série de componentes cerâmicos de alumina específicos para semicondutores é fabricada usando material Al₂O₃ de pureza ultra-alta de 99,6% através de processos de moldagem por fita de precisão e sinterização em alta temperatura. Os produtos exibem excelente isolamento, resistência à corrosão e estabilidade dimensional, atendendo aos requisitos de limpeza do padrão SEMI F47.
Fabricação de wafers: Peças cerâmicas para máquinas de gravação, barcos de difusão
Embalagem e teste: Substratos de cartão de sonda, soquetes de teste
Componentes de equipamentos: Efetores finais de robôs
Sistemas de vácuo: Bases de mandril eletrostático
Inspeção óptica: Guias cerâmicos para máquinas de litografia
✓ Ultra-limpo: Conteúdo de íons metálicos <0,1ppm
✓ Dimensões de precisão: Tolerância ±0,05mm/100mm
✓ Resistência ao plasma: Taxa de gravação <0,1μm/h
✓ Baixa liberação de gases: TML<0,1% CVCM<0,01%
✓ Alta confiabilidade: Passa por 1000 ciclos térmicos
Parâmetro | Especificação | Padrão de teste |
---|---|---|
Pureza do material | Al₂O₃≥99,6% | GDMS |
Resistividade volumétrica | >10⁴Ω·cm | ASTM D257 |
Constante dielétrica | 9,8@1MHz | IEC 60250 |
Resistência à flexão | ≥400MPa | ISO 14704 |
CTE | 7,2×10⁻⁶/°C | DIN 51045 |
Rugosidade da superfície | Ra≤0,1μm | ISO 4287 |
Liberação de gases | TML<0,1% | ASTM E595 |
Preparação do material:
Pó de Al₂O₃ de grau nano (D50≤0,5μm)
Moagem por bolas de alta pureza (auxiliares de sinterização Y₂O₃-MgO)
Processo de formação:
Moldagem por fita (espessura 0,1-5mm)
Prensagem isostática (200MPa)
Controle de sinterização:
Sinterização em atmosfera multiestágio (1600°C/H₂)
Pós-tratamento HIP (1500°C/150MPa)
Usinagem de precisão:
Processamento a laser (±5μm)
Perfuração ultrassônica (relação de aspecto 10:1)
Limpeza e inspeção:
Limpeza megassônica (sala limpa Classe 1)
Teste de partículas SEMI F47
⚠️ Armazenamento: Embalagem limpa Classe 100
⚠️ Ambiente de instalação: 23±1°C UR45±5%
⚠️ Limpeza: Somente solventes de grau semicondutor
⚠️ Manuseio: Evite contato direto com superfícies funcionais
Verificação de limpeza: Relatórios de teste VDA19
Análise de falhas: Microanálise SEM/EDS
Desenvolvimento personalizado: Co-design DFM
P: Como garantir a limpeza da superfície de contato do wafer?
R: Tripla proteção:
① Ativação da superfície por plasma
② Embalagem a vácuo + armazenamento N₂
③ Limpeza com ar ionizado antes da instalação
P: Desempenho em plasma à base de flúor?
R: Versão com tratamento especial:
• Taxa de gravação <0,05μm/h
• Camada de passivação AlF₃
• 3x maior vida útil
P: Tamanho máximo processável?
R: Padrão 200×200mm, processo especial até 400×400mm.