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Cerâmica de alumínio de alta pureza com resistência ao volume de 104 Ohm*cm para aplicações em semicondutores

Detalhes do produto

Lugar de origem: Feito na china

Marca: Dayoo

Termos de pagamento e envio

Quantidade de ordem mínima: Negociável

Preço: Negociável

Tempo de entrega: Negociável

Termos de pagamento: Negociável

Obtenha o melhor preço
Destacar:

Cerâmica de alumínio de alta temperatura

,

Cerâmica de alumínio personalizada

,

Cerâmica de alumínio de tipo quadrado

Pureza:
96%, 99%
Materiais:
92% de alumina em pó
Tamanho:
Personalizado
Acabamento superficial:
Polido
Forma:
Personalizável
Propriedades:
isolamento elétrico
Tipo:
Bola de cerâmica
Aplicativo:
Cerâmica industrial
Coeficiente de expansão térmica:
8 x 10^-6 /K
Resistência à tracção:
250 MPa
Temperatura de operação máxima:
1800 ° C.
Conteúdo de alumina:
92% e 95%
Força de flexão:
350 MPa
Temperatura máxima de uso:
1.400 ° C.
Water Absorption:
0
Pureza:
96%, 99%
Materiais:
92% de alumina em pó
Tamanho:
Personalizado
Acabamento superficial:
Polido
Forma:
Personalizável
Propriedades:
isolamento elétrico
Tipo:
Bola de cerâmica
Aplicativo:
Cerâmica industrial
Coeficiente de expansão térmica:
8 x 10^-6 /K
Resistência à tracção:
250 MPa
Temperatura de operação máxima:
1800 ° C.
Conteúdo de alumina:
92% e 95%
Força de flexão:
350 MPa
Temperatura máxima de uso:
1.400 ° C.
Water Absorption:
0
Cerâmica de alumínio de alta pureza com resistência ao volume de 104 Ohm*cm para aplicações em semicondutores

Cerâmica de alumina de alta pureza com resistividade volumétrica de 10⁴ Ohm*cm para aplicações em semicondutores

 

Esta série de componentes cerâmicos de alumina específicos para semicondutores é fabricada usando material Al₂O₃ de pureza ultra-alta de 99,6% através de processos de moldagem por fita de precisão e sinterização em alta temperatura. Os produtos exibem excelente isolamento, resistência à corrosão e estabilidade dimensional, atendendo aos requisitos de limpeza do padrão SEMI F47.

Principais aplicações em semicondutores

  • Fabricação de wafers: Peças cerâmicas para máquinas de gravação, barcos de difusão

  • Embalagem e teste: Substratos de cartão de sonda, soquetes de teste

  • Componentes de equipamentos: Efetores finais de robôs

  • Sistemas de vácuo: Bases de mandril eletrostático

  • Inspeção óptica: Guias cerâmicos para máquinas de litografia

Vantagens do produto

✓ Ultra-limpo: Conteúdo de íons metálicos <0,1ppm
✓ Dimensões de precisão: Tolerância ±0,05mm/100mm
✓ Resistência ao plasma: Taxa de gravação <0,1μm/h
✓ Baixa liberação de gases: TML<0,1% CVCM<0,01%
✓ Alta confiabilidade: Passa por 1000 ciclos térmicos

Especificações técnicas

Parâmetro Especificação Padrão de teste
Pureza do material Al₂O₃≥99,6% GDMS
Resistividade volumétrica >10⁴Ω·cm ASTM D257
Constante dielétrica 9,8@1MHz IEC 60250
Resistência à flexão ≥400MPa ISO 14704
CTE 7,2×10⁻⁶/°C DIN 51045
Rugosidade da superfície Ra≤0,1μm ISO 4287
Liberação de gases TML<0,1% ASTM E595

Processo de fabricação de semicondutores

  1. Preparação do material:

    • Pó de Al₂O₃ de grau nano (D50≤0,5μm)

    • Moagem por bolas de alta pureza (auxiliares de sinterização Y₂O₃-MgO)

  2. Processo de formação:

    • Moldagem por fita (espessura 0,1-5mm)

    • Prensagem isostática (200MPa)

  3. Controle de sinterização:

    • Sinterização em atmosfera multiestágio (1600°C/H₂)

    • Pós-tratamento HIP (1500°C/150MPa)

  4. Usinagem de precisão:

    • Processamento a laser (±5μm)

    • Perfuração ultrassônica (relação de aspecto 10:1)

  5. Limpeza e inspeção:

    • Limpeza megassônica (sala limpa Classe 1)

    • Teste de partículas SEMI F47

Diretrizes de uso

⚠️ Armazenamento: Embalagem limpa Classe 100
⚠️ Ambiente de instalação: 23±1°C UR45±5%
⚠️ Limpeza: Somente solventes de grau semicondutor
⚠️ Manuseio: Evite contato direto com superfícies funcionais

Serviços para semicondutores

  • Verificação de limpeza: Relatórios de teste VDA19

  • Análise de falhas: Microanálise SEM/EDS

  • Desenvolvimento personalizado: Co-design DFM

FAQ

P: Como garantir a limpeza da superfície de contato do wafer?
R: Tripla proteção:
① Ativação da superfície por plasma
② Embalagem a vácuo + armazenamento N₂
③ Limpeza com ar ionizado antes da instalação

P: Desempenho em plasma à base de flúor?
R: Versão com tratamento especial:
• Taxa de gravação <0,05μm/h
• Camada de passivação AlF₃
• 3x maior vida útil

P: Tamanho máximo processável?
R: Padrão 200×200mm, processo especial até 400×400mm.

 

Cerâmica de alumínio de alta pureza com resistência ao volume de 104 Ohm*cm para aplicações em semicondutores 0Cerâmica de alumínio de alta pureza com resistência ao volume de 104 Ohm*cm para aplicações em semicondutores 1Cerâmica de alumínio de alta pureza com resistência ao volume de 104 Ohm*cm para aplicações em semicondutores 2Cerâmica de alumínio de alta pureza com resistência ao volume de 104 Ohm*cm para aplicações em semicondutores 3